Просмотр полной версии : нет цепи управления инжекторами форсунок F9Q 750
Алексей220281
18.05.2012, 10:06
Ребята такая беда! Clip показал: цепь форсунок (1.2.3.4) ошибка: 2.DEF Неверный ток управления форсунками (не дословно). Так вот копался везде; фазы газораспределения, датчики менял все (с заведомо исправного авто),прозвонил провода от форс. до ЭБУ, даже залез в бак зная что насоса НД нет (стоит груша). С буксира заводится (смелюсь сказать) обороты 250-400, на газ нет реакции, 30 сек. и глохнет. Рад буду любому совету
F9Q 750
Для начала нужно измерить амплитуду сигнала на контактах форсунки (осциллографом), а потом уже делать выводы. ЭБУ имеет в схеме так называемую драйверную диагностику, косвенно измеряет ток в цепи каждой форсунки. Предположу, что напряжение питания до драйверов форсунок занижено, соответсвенно ток ниже.
Алексей220281
18.05.2012, 22:48
Думал будет проще!!! Буду искать толкового электрика!:help:
Алексей220281
25.05.2012, 22:32
Проблема решилась перепайкой ЭБУ!!!:yahoo::yahoo::yahoo:
А что конкретно перепаивали?
Алексей220281
27.05.2012, 03:30
R4389 вроде как полевой транзистор
Походу (судя по схеме включения форсунок ) пропайкой одного транзистора там не обошлось.
Алексей220281
28.05.2012, 12:06
Один, именно он, и всё. Лично смотрел!!! Уже неделя полёт нормальный! Кстати подобрали заменитель Российский по цене 25 рос.руб!!!
Один, именно он, и всё. Лично смотрел!!! Уже неделя полёт нормальный! Кстати подобрали заменитель Российский по цене 25 рос.руб!!!
Полевой транзистор с индуцированным каналом IGBT(stgb10nb37lz). В Белоруссии он аж 16000 тыс. стоит.:rofl:
Не надо путать IGBT и MOSFET. Две разные вещи.
Спасибо за информацию, как раз на переходе транзистора, драйвером измеряется падение напряжения, из этого он "знает" какой ток протекает в цепи. Повезло, что сопротивление перехода у отечественного полевика попало в зону работы драйвера.
[QUOTE=Alexxk;820018]Не надо путать IGBT и MOSFET. Две разные вещи.
Действительно IGBT- (от англ. Insulated-gate bipolar transistor — биполярный транзистор с изолированным затвором).По своей внутренней структуре IGBT представляет собой каскадное включение двух электронных ключей: входной ключ на полевом транзисторе управляет мощным оконечным ключом на биполярном транзисторе. :acute:
vBulletin® v3.8.9, Copyright ©2000-2025, vBulletin Solutions, Inc. Перевод: zCarot